オリンパス　ニュースリリース：走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡「LEXT OLS3000-IR」新発売～チップ裏面をクリアな画像で観察

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2005年11月28日

走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡「LEXT OLS3000-IR」新発売

業界初の”共焦点光学系^※1を用いた赤外線顕微鏡”で

ICチップ裏面などをハイコントラストな画像で観察が可能

走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡「LEXT OLS3000-IR」

オリンパス株式会社(社長：菊川剛)は、従来の赤外線顕微鏡では困難であったFCB^※2後のICチップパターン及びその裏面や、MEMS^※3内部構造などを、ハイコントラストな画像での観察を可能とした、走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡「LEXT(レクスト) OLS3000-IR」を2006年1月5日から発売します。本製品は、近年実用化が進みつつあるSiP^※4技術における非破壊不良解析ツールとしても活用できます。

なお、本製品を12月7日～9日、幕張メッセで開催される「セミコンジャパン2005」にて出展します（当社ブースは国際展示場4ホール／ブースNo.4B1001）。

※1	共焦点光学系：結像面上に配置されたピンホールにより照明光を点光源にし、標本で反射した光を点検出器で検出するしくみ。結像面に配置されたピンホールの作用により、ピントのあった面だけを観察することができます。コンフォーカル光学系とも呼ばれる。
※2	FCB (Flip Chip Bonding)：実装技術の一つ。情報機器の小型化、高機能化に伴い、近年広く採用されつつある。
※3	MEMS：Micro Electro Mechanical Systemsの略。微小電子機械システム。
※4	SiP（System in a Package）：ロジックやメモリなどの複数のICチップを組合わせ、システムとして1つのパッケージ内に収めるためのパッケージング技術。

発売の概要

製品名	発売日
走査型共焦点赤外レーザ顕微鏡「LEXT OLS3000-IR」	2006年1月5日

主な特長

1）	ICチップ裏面などをハイコントラストな画像で観察可能

2）	ICチップ裏面などにおける三次元形状測定を実現

主な用途

・	非破壊で、FCB後のICチップ裏面などを不良解析や環境試験耐性確認

・	非破壊で、ウエハレベルCSP^※5の銅配線及び樹脂部を不良解析や環境試験耐性確認

・	Chip On Chip実装^※6のギャップ計測、アライメントマークズレ測定

・	ワイヤボンディング状態をチップ裏面から解析

・	MEMSの中空構造部検査、ギャップ計測

※5	ウェハレベルCSP（Chip Size Package）：ICの製造工程においてチップを切断することなくウエハ状態のままで、チップと同サイズのパッケージングまでを行う製法。
※6	LSIの集積度を上げる手法のひとつ。複数の半導体チップを１つのパッケージ内部で積み重ねて実装し、複合機能を実現するもの。

主な特長の詳細

1）	ICチップ裏面などをハイコントラストな画像で観察可能
	従来の赤外線顕微鏡でのICチップ裏面などの観察は、チップ裏面の研磨状態などによりICチップ表面上で周辺から入る可視光が乱反射して困難でした。走査型共焦点光学系を用いたことにより、ピントの合ったチップ裏面だけを高解像度でハイコントラストな画像で観察できるようになりました。

2）	ICチップ裏面などにおける三次元形状測定を実現
	LEXT OLS3000-IRでは、従来の共焦点光学系に赤外線光学系を組み込み最適化することでICチップ裏面の三次元形状測定を実現。フリップチップ実装後の非破壊不良解析やChip On Chipでのギャップ計測が可能で、歩留まりの向上や新製品の開発に有効です。



｢従来の赤外線顕微鏡画像」		「LEXT OLS3000-IRの画像」

LEXT OLS3000-IRの主な仕様

測定部	構造	専用フレーム
	外形寸法	464×559×614.5(mm)　※除震台無し
	質量	56.9kg
	試料最大高さ	100mm
	耐荷重	10kg
	XYステージ	マニュアル：100×100(mm)、電動：150×100(mm)
対物レンズ	本数	5本
	倍率	5x	10x	20x	50x	90x
	作動距離：mm	20.0	18．5	8．1	7.0～6.8	1.2～1.1
	開口数	0.10	0.25	0.40	0.53	0.69～0.71
観察測定範囲	横(H)：μm	2,560	1,280	640	256	142
	縦(V)：μm	2,560	1,280	640	256	142
モニタ上倍率		120～722	241～1443	481～2886	1203～7215	2165～12987
光学ズーム		1x～6x
共焦点方式		ピンホール
受光素子		フォトディテクター
測定用レーザ	光源	半導体レーザ
	波長	1310nm
画像取り込み方法		CFOサーチ（Fine、Fast）ステップサーチ
画像取込モード		Contrast Mode ,Enhance Mode
平面（XY）表示分解能		1024×1024(ピクセル)
フレームメモリ		輝度：1024x1024x12bit 高さ：1024x1024x16bit
フレームレート		12Hz
平面(XY)測定	測定繰り返し性：μm	3(n-1)=0.05
高さ(Z)測定	測定範囲	10mm
	最小移動分解能	0.01μm
	最小表示分解能	0.001μm
	高さスケール	リニアスケールによるオープン制御
	測定繰り返し性：μm	3(n-1)=0.10
本体制御		オートフォーカス　・オートゲイン　・バンドスキャン
画像処理/2次元画像処理/3次元画像処理		幅測定　・段差測定　・表面積測定　・体積測定・線粗さ測定　・面粗さ測定　・レポート機能　　・2チャンネル表示

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