2007年1月10日
さらに簡単に、さらに高精度に
走査型共焦点レーザ顕微鏡「LEXT(レクスト) OLS3100」発売
操作性と高性能で工業分野における微細表面形状観察・計測の効率化に貢献
走査型共焦点レーザ顕微鏡 「LEXT OLS3100」
オリンパス株式会社（社長：菊川 剛）は、半導体や先端素材などの微細表面形状を3D画像でスピーディに観察・計測できる走査型共焦点レーザ顕微鏡「LEXT OLS3100」を2007年1月25日に世界同時発売いたします。2004年1月から販売している「LEXT OLS3000」は高分解能と多彩な観察方法が好評で、全世界でレーザ顕微鏡のスタンダード機となりました。今回発売する「LEXT OLS3100」は前モデルの高性能は保持しつつ、マニュアル操作を極力排除し誰にでもやさしい操作性を実現しました。また、独自の技術により世界最高レベルの測定繰り返し性※を実現、測定機としての信頼性も高めました。当製品の販売により、オリンパスは最先端の研究開発や品質管理において新たな効率化に貢献していきます。
| ※ | 繰り返し性： 同じ標本を同じ人が同じ装置で短時間に測定した場合に得られる結果。 |
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なお、「LEXT OLS3100」は1月17日(水)～19日(金) に東京ビッグサイトで開催される「第24回エレクトロテスト・ジャパン」のオリンパスブース（東3ホール 4-3）にて展示致します。
発売の概要
| 製品名 | 発売日 |
|---|---|
| 走査型共焦点レーザ顕微鏡「LEXT OLS3100」 | 2007年1月25日 |
主な特長
- 理想的な3D画像がクリック一つで取得可能
- 世界最高レベルの分解能と繰り返し性で、より信頼性の高い計測データを提供
- 多彩な観察法、自在な3D表示によりあらゆる試料の観察・解析に対応
市場導入の背景
走査型共焦点レーザ顕微鏡は、高密度化する半導体や先端素材、MEMS（Micro Electro Mechanical Systems：微小電気機械システム）などの微小領域を非接触・非破壊で三次元形状計測できる装置として年々注目が高まっています。当社は、2004年1月の「LEXT OLS3000」の導入に合わせ、「Laser」と「Next generation」を掛け合わせた「LEXT」という新ブランドを創設いたしました。昨今では工業分野における市場の成長に伴い、より幅広い分野で微小領域における三次元形状計測が求められています。また、技術の高度化に伴い品質管理への要求レベルも年々高まる中、当社は「さらに使いやすくよく見えるレーザ顕微鏡を次世代へも提供していく」という強い思いを「LEXT」ブランドに込めています。この度発売する「LEXT OLS3100」では、これらのニーズに対応すべく“さらに簡単に、さらに高精度に”というコンセプトのもと、誰にでも常に最高のアウトプットが出せるレーザ顕微鏡として開発されました。
主な特長の詳細
- 理想的な3D画像がクリック一つで取得可能
従来は３Ｄ画像の取得には、試料の高さに応じ取り込みの上下限を設定する必要がありました。また画像を取り込んだ後には、最適な画像にするために画像補正の作業も必要でした。「LEXT OLS3100」は「3D取込ボタン」をクリックするだけで自動的に試料の高さを認識、同時に明るさやコントラストも自動補正し最適な3D画像を取得できます。慣れが必要とされる設定や作業を排除したことによりオペレータの負担を軽減するとともに、個人差による測定誤差を無くし業務の効率化に貢献します。 - 世界最高レベルの分解能と繰り返し性で、より信頼性の高い計測データを提供
408nm専用の光学系（バイオレットオプトシステム）が、短波長光源で発生しやすい収差を抑え、世界最高レベルの平面分解能を保持しています。また、独自の光学技術とソフトのアルゴリズム改善により、高さ計測における測定繰返し性を前機種よりさらに向上させ、測定機としての信頼性を大幅に高めました。 - 多彩な観察法、自在な3D表示によりあらゆる試料の観察・解析に対応
通常の顕微鏡観察である明視野、微分干渉観察に加え、高分解能のレーザ共焦点観察、さらにはSEM（Scanning Electron Microscope：走査型電子顕微鏡）に匹敵する観察が可能なレーザ微分干渉観察などさまざまなアプリケーションに対応できる観察法を搭載しています。また取り込んだ3D画像は多彩な表現方法とマウスによる自由なアングル変更により視覚的に最も効果の得られる3D表示が行えます。
「LEXT OLS3100」仕様表
| レーザスキャン仕様 | ユニバーサル仕様 | |||
| 検鏡方法 | レーザ | レーザ、レーザ微分干渉、明視野、微分干渉 | ||
| 本体 | 照明 | レーザ | 408nm半導体レーザ | |
| クラス2 | ||||
| 明視野 | - | 落射用白色LED照明 | ||
| Zステージ | 上下動範囲 | 70mm | ||
| 試料最大高さ | 100mm | |||
| Zレボルバ | 測定ストローク | 10mm | ||
| 駆動分解能 | 0.01μm | |||
| 繰り返し性 | 3σ=0.04+0.002Lμm | |||
| 対物レンズ | 5×、10×、20×、50×、100× | |||
| 総合倍率 | 120×～14400× | |||
| 観察視野 | 2560×2560～21×21μm | |||
| 光学ズーム | 1×～6× | |||
| ステージ※ | マニュアルステージ | 100×100mm | ||
| 電動ステージ | 150×100mm | |||
| フレームメモリ | 輝度 | 1024×1024×12bit | ||
| 高さ | 1024×1024×16bit | |||
| AF | レーザ反射式 | |||
| 外形寸法 | 464（W）×559（D）×620（H）mm | |||
| 質量 | 56.9kg | 57.5kg | ||
| ※ | 個注ステージにより、300mm×300mm試料にも対応。 |
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